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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Comparar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
8.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
29
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
8.9
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2711
2284
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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