RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Comparar
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Pontuação geral
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
67
Por volta de 39% menor latência
Razões a considerar
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
10.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
67
Velocidade de leitura, GB/s
10.7
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
8.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1335
1876
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link