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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Kingston KCDT82-MIE 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Pontuação geral
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Razões a considerar
Kingston KCDT82-MIE 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
41
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
10.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
38
Velocidade de leitura, GB/s
10.7
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1335
2302
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
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