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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Razões a considerar
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
41
Por volta de -32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.4
10.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
31
Velocidade de leitura, GB/s
10.7
11.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
8.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1335
2371
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Comparações de RAM
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SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
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