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Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Comparar
Mushkin 991586 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Mushkin 991586 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Mushkin 991586 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
27
Por volta de 4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
11.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
7.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
11.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
11.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2156
2062
Mushkin 991586 2GB Comparações de RAM
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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