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Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Comparar
Mushkin 991586 2GB vs Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Pontuação geral
Mushkin 991586 2GB
Pontuação geral
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Mushkin 991586 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
29
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
7.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
13.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2156
3181
Mushkin 991586 2GB Comparações de RAM
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Kingston 9905711-038.A00G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
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