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Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
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Mushkin 991586 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Mushkin 991586 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Mushkin 991586 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
57
Por volta de 54% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
9.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
7.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
57
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
9.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
7.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2156
2213
Mushkin 991586 2GB Comparações de RAM
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
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