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Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
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Mushkin 991586 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Pontuação geral
Mushkin 991586 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Mushkin 991586 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
48
Por volta de 46% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
7.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
48
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
8.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2156
2196
Mushkin 991586 2GB Comparações de RAM
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
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