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Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
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Mushkin 991586 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Pontuação geral
Mushkin 991586 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Mushkin 991586 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
51
Por volta de 49% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
7.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
51
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
12.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2156
2570
Mushkin 991586 2GB Comparações de RAM
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Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Kingston 9965684-005.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
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