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Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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Mushkin 991586 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Mushkin 991586 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Mushkin 991586 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
34
Por volta de 24% menor latência
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
7.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
34
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
12.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2156
2584
Mushkin 991586 2GB Comparações de RAM
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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