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Mushkin 991586 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
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Mushkin 991586 2GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Pontuação geral
Mushkin 991586 2GB
Pontuação geral
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Mushkin 991586 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
48
Por volta de 46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
11.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Mushkin 991586 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
48
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
11.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
8.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2156
2466
Mushkin 991586 2GB Comparações de RAM
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
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