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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Pontuação geral
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Razões a considerar
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
63
Por volta de -117% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
7.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
5.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
29
Velocidade de leitura, GB/s
7.7
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
5.0
12.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1130
2635
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
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Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
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