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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Comparar
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Pontuação geral
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
63
77
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.6
7.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.9
5.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
77
Velocidade de leitura, GB/s
7.7
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
5.0
6.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1130
1549
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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