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Mushkin 991988 (996988) 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
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Mushkin 991988 (996988) 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Pontuação geral
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Mushkin 991988 (996988) 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
50
Por volta de 54% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14
12.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
50
Velocidade de leitura, GB/s
14.0
12.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
7.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2388
2326
Mushkin 991988 (996988) 4GB Comparações de RAM
Mushkin 991988S (996988S) 4GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
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Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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