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Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
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Mushkin 991988 (996988) 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Pontuação geral
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Mushkin 991988 (996988) 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
28
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
14
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
28
Velocidade de leitura, GB/s
14.0
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
11.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2388
2481
Mushkin 991988 (996988) 4GB Comparações de RAM
Mushkin 991988S (996988S) 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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