Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Pontuação geral
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Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    23 left arrow 26
    Por volta de 12% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16.2 left arrow 14
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.6 left arrow 8.9
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 10600
    Por volta de 2.01 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    23 left arrow 26
  • Velocidade de leitura, GB/s
    14.0 left arrow 16.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.9 left arrow 12.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2388 left arrow 2955
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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