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Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
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Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
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Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
26
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
8.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1676
2821
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
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