RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Comparar
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB vs Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
50
Por volta de 52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
10.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
50
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
10.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.8
8.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2301
2393
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link