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Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Comparar
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Pontuação geral
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
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Razões a considerar
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
41
Por volta de -64% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
13.3
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
41
25
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
8.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
10600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1982
2152
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Comparações de RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB Comparações de RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
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