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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Comparar
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
37
Por volta de 30% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.3
9.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
37
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
9.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
7.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1952
2229
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
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