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Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Pontuação geral
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
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Razões a considerar
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
40
Por volta de -43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.1
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
28
Velocidade de leitura, GB/s
14.7
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
15.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2486
3706
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
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Kingston KTD3KX-MIB 8GB
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