RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Comparar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
47
Por volta de 21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
11.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.2
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
47
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
11.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
9.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
2323
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Mushkin 992018 (997018) 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link