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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Razões a considerar
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
37
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
25
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
11.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
2909
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
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