RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Comparar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
37
Por volta de -42% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.5
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.2
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
21.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
17.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
4042
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link