RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Comparar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
37
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
25
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
10.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
2261
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link