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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Razões a considerar
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
37
Por volta de -68% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
22
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
13.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
3178
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Mushkin 991586 2GB
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
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