RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Comparar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
37
Por volta de -68% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.4
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.8
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
22
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
20.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
18.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
4382
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link