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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
37
Por volta de -28% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
10.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
2737
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
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