RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Comparar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
38
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
38
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
12.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
3005
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Comparações de RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link