RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Comparar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
37
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
34
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
12.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
2902
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link