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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
37
Por volta de -12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
33
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
15.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
3482
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
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