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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
37
Por volta de -106% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.2
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
18
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
20.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
16.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
3536
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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SK Hynix HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
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