RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Comparar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
37
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
34
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
11.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
2786
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link