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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
92
Por volta de -136% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
1,266.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
92
39
Velocidade de leitura, GB/s
2,105.4
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,266.1
9.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
339
2852
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
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