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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
92
Por volta de -179% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
1,266.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
92
33
Velocidade de leitura, GB/s
2,105.4
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,266.1
12.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
339
3026
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparações de RAM
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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