RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Comparar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Pontuação geral
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
92
Por volta de -229% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
1,266.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
92
28
Velocidade de leitura, GB/s
2,105.4
12.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,266.1
8.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
339
2018
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB Comparações de RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link