RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Comparar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
92
Por volta de -188% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
1,266.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
92
32
Velocidade de leitura, GB/s
2,105.4
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,266.1
10.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
339
2949
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link