RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Comparar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
92
Por volta de -188% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
1,266.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
92
32
Velocidade de leitura, GB/s
2,105.4
21.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,266.1
15.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
339
3458
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link