RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Comparar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Pontuação geral
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
92
Por volta de -217% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
1,266.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
92
29
Velocidade de leitura, GB/s
2,105.4
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,266.1
10.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
339
2968
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link