RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Comparar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
92
Por volta de -207% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
1,266.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
92
30
Velocidade de leitura, GB/s
2,105.4
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,266.1
12.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
339
3164
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081 4GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link