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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston X74R9W-MIE 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Pontuação geral
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston X74R9W-MIE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
92
Por volta de -300% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
1,266.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
92
23
Velocidade de leitura, GB/s
2,105.4
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,266.1
15.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
339
3136
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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