RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Comparar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
92
101
Por volta de 9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.0
1,266.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
92
101
Velocidade de leitura, GB/s
2,105.4
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,266.1
7.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
339
1313
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link