RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Comparar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
53
92
Por volta de -74% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
1,266.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
92
53
Velocidade de leitura, GB/s
2,105.4
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,266.1
8.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
339
2285
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link