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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Pontuação geral
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
11.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
36
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
32
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
11.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
12.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2292
2804
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KM0VW4-MID 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
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Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
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