RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Comparar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
36
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
29
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
14.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2292
3672
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link