RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Comparar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
36
Por volta de -38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
26
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
14.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2292
3596
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link