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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
36
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
29
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
20.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
15.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2292
3831
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
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