RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Comparar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
36
Por volta de -64% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
22
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
12.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2292
3035
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link