RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Comparar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
94
Por volta de 62% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
5.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
4.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
94
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
5.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
4.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2292
1334
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link