RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Comparar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Pontuação geral
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
36
Por volta de -33% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.8
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
27
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
9.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2292
2330
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link